IGBT驱动板
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1200V/40A IGBT替换IKW40N120H3

BEE 时间:2019-04-17 11:40

1200V/40A IGBT替换IKW40N120H3 
   IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT通过将用于控制输入的隔离栅极FET和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
  海飞乐技术场截止沟槽型高开关速度IGBT单管(可替换IKW40N120H3),连续集电极电流40A,集电极-发射极电压1200V,3引脚,TO-247-3封装。低通态饱和电压,高速切换,低关断损耗,高可靠性。主要应用于不间断电源,太阳能逆变器,焊接转换器,PFC应用等领域,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
1200V/40A IGBT特性
高击穿电压1200V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
短路耐受时间10μs
低饱和电压
提高雪崩能力
 
1200V/40A IGBT应用
不间断电源
太阳能逆变器
焊接
PFC应用
 
1200V/40A IGBT主要技术参数
1200V/40A IGBT主要技术参数 
 
1200V/40A IGBT特性曲线
1200V/40A IGBT特性曲线 
 
1200V/40A IGBT封装外形、尺寸
1200V/40A IGBT封装外形、尺寸 
 
IKW40N120H3技术参数
制造商: Infineon
2021竞彩欧洲杯种类: IGBT 晶体管
RoHS:  符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极-射极饱和电压: 2.05 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25℃的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 483 W
最小工作温度: - 40℃ 
最大工作温度: + 175℃ 
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 80 A  
商标: Infineon Technologies  
栅极—射极漏泄电流: 600 nA  
2021竞彩欧洲杯类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416  
单位重量: 38 g
 
  IGBT单管保存
  1. 一般保存IGBT的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
  2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
  3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT表面可能有结露水的现象,因此IGBT?橛Ψ旁谖露缺浠闲〉牡胤;
  4. 保管时,须注意不要在IGBT上堆放重物;
  5. 装IGBT的容器,应选用不带静电的容器。
 
IKW40N120H3替换资料
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