IGBT驱动板
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1350V/25A IGBT替换IHW20N135R3

BEE 时间:2019-04-15 16:25

1350V/25A IGBT 
  海飞乐技术1350V25A场截止沟槽型高开关速度IGBT单管(可替换IHW20N135R3),连续集电极电流25A,集电极-发射极电压1350V,3引脚,TO-247封装。使用创新的设计技术和封装技术实现小尺寸、高可靠性和低关断损耗;该2021竞彩欧洲杯节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外,紧凑的工业标准TO-247封装内还集成了大多数电路所需的超高速续流二极管,减少了外部元器件的数量。适用于微波炉、逆变器、转换器、高速开关等,同时可维持较高的软度,使2021竞彩欧洲杯具备出色的抗电磁干扰性能,帮助最大限度发挥系统的性能。
 
1350V25A IGBT特性
高击穿电压1350V,提高可靠性
场截止沟槽技术
高速切换
坚固性高,温度稳定
软关断波形
低饱和电压
提高雪崩能力
由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换。
 
1350V25A IGBT应用
•感应烹饪
•逆变微波炉
•谐振转换器
•软开关应用
 
1350V25A IGBT主要技术参数
1350V25A IGBT主要技术参数 
 
1350V25A IGBT特性曲线
1350V25A IGBT特性曲线 
 
1350V25A IGBT封装外形、尺寸
1350V25A IGBT封装外形、尺寸 
 
IHW20N135R3技术参数
制造商: Infineon
2021竞彩欧洲杯种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合  
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1350 V
集电极-射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25℃的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 310 W
工作温度范围: - 40℃~ + 175℃ 
系列: RC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies  
栅极-射极漏泄电流: 100 nA  
2021竞彩欧洲杯类型: IGBT Transistors  
工厂包装数量: 240  
子类别: IGBTs  
商标名: TRENCHSTOP  
零件号别名: IHW20N135R3FKSA1 IHW2N135R3XK SP000909532  
单位重量: 6 g  
 
IHW20N135R3替换资料
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