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650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型

碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性

1200V碳化硅MOSFET系列选型

SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场

IGBT驱动配置

FF450R12ME4 FF600R12ME4 FF300R17ME4 CM200DX-24S FF450R17ME4 FF450R17ME3

IGBT驱动电路设计

海飞乐技术基于IGBT驱动芯片电路设计与优化本栏目下是基于各种IGBT驱动芯片进行的全桥、半桥、电机控制、高速IGBT驱动电路设计与优化,以及各种IGBT驱动芯片参数与应用技术。

常用IGBT驱动电路

IGBT驱动的作用与原理

　IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用为了让IGBT安全、可靠地工作，其栅极应连接与之匹配的驱动电路。....【详细内容】

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大功率IGBT驱动板

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IGBT驱动原理

IGBT驱动原理图标由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。本栏目收集整理关于IGBT驱动原理与设计相关的文章。

IGBT驱动厂家

各大厂IGBT驱动的2021竞彩欧洲杯本栏目下有海飞乐技术有限公司整理的全球知名IGBT驱动制造厂家的2021竞彩欧洲杯与技术动向。

问题解答

IGBT驱动应用中的各种问题解答海飞乐技术有限公司集中解答上关于IGBT驱动应用与设计的相关问题，IGBT驱动故障处理等。

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